【據美國普渡大學網站2019年5月30日報道】美國普渡大學的科研人員與美國密歇根大學和中國華中科技大學合作，成功驗證了可以利用激光沖擊在石墨烯中生成永久“帶隙”結構，能量帶隙達到達到了2.1eV，遠高于此前的記錄0.5eV，從而使石墨烯有望在下一代電子技術中起到硅之類的半導體的作用。與化學摻雜等技術不同，該研究團隊采用的技術并不改變石墨烯的構成，只是利用激光對石墨烯進行純粹的強化。研究人員利用激光產生的沖擊脈沖將石墨烯片壓印到下面的溝槽狀模具上，使其產生永久形變，使石墨烯中的帶隙結構永久化。研究人員可以通過調節激光功率來調節石墨烯的帶隙大小。研究人員稱，雖然距離將石墨烯放入半導體器件還有很長的路要走，但該項技術使科研人員可以更靈活地利用石墨烯材料的光學、磁性和熱性能。該項研究得到了美國國家科學基金會的支持，相關論文《Asymmetric 3D Elastic–Plastic Strain‐Modulated Electron Energy Structure in Monolayer Graphene by Laser Shocking》已在Advanced Materials期刊上發表。